精确 控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，除保持了 PLD方法制备的膜系宽， 还可以生长通常的半导体超晶格材料，特别适合生长多元素、高熔点、复杂层状结 构的薄膜，如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体等，同时还能进行其相 应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。系统最大的 特色：通过激光加热样品台和高精度掩膜版联用实现高通量连续梯度薄膜制备和温 度梯度薄膜制备。
组成
名称
参数指标
本底真空度
< 1X1010mbar
抽气系统
前级机械泵、分子泵、离子泵、TSP等（Edwards、Pfeiffer. Leybold）
冷井（可选）
液氮冷井或双层水冷
真空规
热阴极离子规（2X10-11mbar）
外延生长室
样品操纵台
四轴或五轴自由度，匹配标准flag-type样品托或一英寸圆片，工作温度 室温-1200K
样品加热方式
激光加热、热辐射加热
靶台
6工位一英寸，靶台可公转、自转及摇摆相结合
激光窗口
配有插板阀可不破坏真空情况下更换光学窗口
换靶方式
可原位更换靶材
预留接口
反射式高能电子衍射仪、膜厚测量仪、支持多路进气（精密进气管路）、
可用于加装
氯离子源、四级杆质谱分析仪、红外测温仪等
本底真空度
< 5X10 8mbar
快速进样室
抽气系统
前级机械泵、分子泵（Edwards、Pfeiffer、Leybold）
真空规
全量程真空计（5 X10-9mbar至大气）
样品存储
6-8个（可定制）
靶材存储
4个（可定制）
烘烤和控制模块
烘烤模块
—体式烘箱，温度150°C, PID控温
控制模块
—键真空启停、互锁保护、全自动薄膜生长程序，实时采集运行参数
